EPC EPC2215

EPC（宜普）eGaN® 氮化镓晶体管（GaN FET）和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南

eGaN FETs and ICs    eGaN® Integrated Circuits    Half-Bridge Development Boards    DrGaN    DC-DC Conversion    Lidar/Motor Drive    AC/DC Conversion   

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基板供应商备选方案——第二部分（PCN250201）

EPC宣布Wafer Works成为Si基板第二家批准供应商，拥有IATF 16949认证。此变更不影响产品形式、尺寸或功能，且已通过质量可靠性测试。EPC将在客户接受PCN后开始使用Wafer Works基板生产相关产品，过渡期间客户可能从任何批准的供应商处接收货物。受影响的销售部分编号见附录I。

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增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，这是一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、医疗、LED照明、无线充电和太阳能等领域的应用。

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EPC Altium库PCBLIB&SCHLIB&INTLIB

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面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）和集成电路应用简介

本文介绍了面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）和集成电路的应用。这些器件通过微型化、高效率和出色的散热性能，实现了快充所需的最高功率密度和小尺寸。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括低功耗、小尺寸、高散热效率以及无反向恢复等，并提供了相关器件型号和配置的详细信息。

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【视频】EPC GaN驱动脉宽短至2ns，尺寸有硅MOS的10%，完美匹配激光二极管ToF方案

本文主要介绍了激光雷达技术，包括其组成、种类、应用案例以及激光雷达专用eToF GaN IC的设计与控制。文章详细阐述了激光雷达的驱动设计与控制，包括杂散电感的影响、使用氮化镓的优势等。此外，还比较了DTOF与iToF的优缺点，并分析了脉冲形状的重要性。最后，文章介绍了EPC公司提供的GaN FET和IC解决方案，以及其在激光雷达系统中的应用。

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面向同步整流应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路应用简介

本文介绍了适用于同步整流的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）及其集成电路的应用范围，包括100W至6kW DC/DC同步整流、服务器、网络通信及电信系统的AC/DC整流、LED和OLED电视的适配器和开关模式电源等。文章强调了采用氮化镓器件的优势，如尺寸小巧、高开关频率、无反向恢复、理想并联特性、优异散热性能和低EMI。同时，提供了eGaN®SR系列产品的参数对比，并展示了不同型号的半桥开发板和应用案例。此外，还提到了针对48V数据中心的高效GaN 1kW DC/DC转换器的设计资源和支持材料。

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EPC耐压100V、瞬时电流高达75A的车规级GaN FET及实现<2ns的超短脉冲GaN IC

本文主要介绍了激光雷达技术，包括其组成、种类、应用案例、工作原理以及相关技术细节。重点讨论了激光雷达的驱动设计与控制，特别是使用氮化镓（GaN）FET的优势，以及GaN IC在激光雷达中的应用。文章还分析了激光雷达系统对脉冲功率的要求，以及如何通过优化PCB布局设计来降低寄生电感。

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用于医疗技术的镓氮化物®FET和IC应用简介

eGaN® FETs和ICs在医疗技术领域的应用主要包括：提高成像设备的扫描速度和分辨率，实现无线充电植入式设备，以及用于医疗机器人的高精度电机控制。这些技术通过提高效率、减小尺寸和增强开关速度，为医疗设备提供更快的性能和更高的能效。

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